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IGBT 高溫反偏試驗(yàn)

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MOSEFT器件動(dòng)靜態(tài)測(cè)試服務(wù)
規(guī)格環(huán)境A. 環(huán)境溫度： 25±10℃，B． 相對(duì)濕度： 濕度不大于 65%C. 大氣壓力： 86Kpa～ 106KpaD. 工作電壓：三相五線制 AC 380V 		2023-04-24
IGBT模塊動(dòng)靜態(tài)測(cè)試
設(shè)備簡(jiǎn)述IGBT 高壓反偏試驗(yàn)是在一定溫度條件（125℃）下，按照規(guī)定的時(shí)間和電壓，對(duì) IGBT 施加反偏電壓，從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn) 		2023-04-24
雪崩耐量測(cè)試
概述雪崩耐量測(cè)試儀是測(cè)試 IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出 IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐 		2023-04-24
IGBT 功率循環(huán)測(cè)試
述IGBT 功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試方法符合 GB/T29332-2012/IEC 60747-9:2007 及GB4023-83 等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。IGBT 功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備，是 IG 		2023-04-24
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