Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 產(chǎn)品圖如上圖, 其主要構(gòu)件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)如下:
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Ф4 inch X 6片 |
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基板尺寸 |
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< Ф3 inch X 8片 |
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樣品臺 |
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樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉(zhuǎn) |
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離子源 |
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20cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
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±5% for 8”Ф |
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硅片刻蝕率 |
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20 nm/min |
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溫度 |
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<100 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號 |
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RFICP 220 |
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Discharge |
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RFICP 射頻 |
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離子束流 |
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>800 mA |
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離子動能 |
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100-1200 V |
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柵極直徑 |
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20 cm Φ |
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離子束 |
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聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
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10-40 sccm |
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通氣 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
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< 0.5m Torr |
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長度 |
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30 cm |
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直徑 |
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41 cm |
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中和器 |
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LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實現(xiàn)晶圓反應面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現(xiàn)提高晶圓的加工質(zhì)量.
運用結(jié)果：
1. 有效去除晶圓反應表面產(chǎn)生的反應產(chǎn)物, 進而提高反應效率
2. 晶圓的均勻度得到良好提高
3. 晶圓的加工質(zhì)量得到明顯提高
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