產(chǎn)品描述

上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 40, 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射.

KRI 射頻離子源 RFICP 40 屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >100 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.

采用射頻技術產(chǎn)生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.

離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養(yǎng)/ 維修/ 安裝.

適用于集成在小型的真空腔體內.

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 40 產(chǎn)品特性：

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 40 特性:

1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.

2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節(jié), 有效優(yōu)化蝕刻率和均勻性.

3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束

4. 離子源自動調節(jié)技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行

5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用

6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數(shù)：

KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用領域：

伯東KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用領域：

1. 預清洗

2. 表面改性

3. 輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,

4. 濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC

5. 離子濺射沉積和多層結構 IBSD

6. 離子蝕刻 IBE