日立ABB IGBT模塊,PNJ(派恩杰)碳化硅分立器件及模塊,Lite-On(光寶)光耦驅(qū)動(dòng),SCR功率薄膜電容等核心功率器件。
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產(chǎn)品價(jià)格面議
產(chǎn)品品牌ABB
最小起訂≥1 只
供貨總量999 只
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更新日期2023-11-07 17:52
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品牌: |
ABB |
所在地: |
湖北 武漢市 |
起訂: |
≥1 只 |
供貨總量: |
999 只 |
有效期至: |
長(zhǎng)期有效 |
VCE: |
3300V |
Ic: |
500A |
品牌: |
ABB |
產(chǎn)品特性:高壓 | 品牌:ABB | 型號(hào):5SND 0500N330300 |
封裝:HiPak | 批號(hào):2252 | IGBT類型:模塊 |
集射極擊穿電壓(VCEO):3300V | 大集電極電流(Icm):500A | 工作溫度范圍:175℃ |
安裝類型:螺柱 |
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5SND 0500N330300
HiPak IGBT模塊
VCE = 3300 V
IC = 500 A
低損耗,堅(jiān)固的SPT+芯片組
平滑切換SPT+芯片組-為良好的EMC
AlSiC基板,用于高功率循環(huán)能力
AlN襯板,低熱阻
一個(gè)軟件包中的2個(gè)開關(guān)
ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT,雙/橋臂式IGBT,斬波和雙二極管模塊。大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開關(guān)低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點(diǎn)。推出的62Pak快速轉(zhuǎn)換IGBT中壓功率模塊,具有的開關(guān)損耗,在175°C下全方SOA運(yùn)行,標(biāo)準(zhǔn)封裝要求并容易替換。
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