LTE測(cè)試卡、4G測(cè)試卡、LTE-FDD卡、LTE-TDD卡、GSM測(cè)試卡、CDMA測(cè)試卡、UIM測(cè)試卡、RUIM測(cè)試卡、WCDMA手機(jī)測(cè)試、TD-SCDMA測(cè)試卡、CDMA2000測(cè)試卡、手機(jī)測(cè)試卡(又稱(chēng)白卡)，使用于通訊工業(yè)生產(chǎn)的信號(hào)測(cè)試（LTE（Long Term Evolution，長(zhǎng)期演進(jìn))是由3GPP組織制定的UMTS技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的長(zhǎng)期演進(jìn)，于2004年12月3GPP多倫多TSG RAN#26會(huì)議上正式立項(xiàng)并啟動(dòng)。LTE系統(tǒng)引入了OFDM和多天線(xiàn)MIMO等關(guān)鍵傳輸技術(shù)，顯著增加了頻譜效率和數(shù)據(jù)傳輸速率（峰值速率能夠達(dá)到上行50Mbit/s,下行100Mbit/s），并支持多種帶寬分配：1.4MHz,3MHz,5MHz,10MHz,15MHz和20MHz等，頻譜分配更加靈活，系統(tǒng)容量和覆蓋顯著提升。LTE無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)更加扁平化，減小了系統(tǒng)時(shí)延，降低了建網(wǎng)成本和維護(hù)成本。LTE系統(tǒng)支持與其他3GPP系統(tǒng)互操作。FDD-LTE已成為當(dāng)前世界上采用的國(guó)家及地區(qū)***廣泛的，終端種類(lèi)***豐富的一種4G標(biāo)準(zhǔn)。）。

  我們公司的LTE測(cè)試卡、4G測(cè)試卡、LTE-FDD卡、LTE-TDD卡、測(cè)試卡、GSM測(cè)試卡、CDMA測(cè)試卡、UIM測(cè)試卡、RUIM測(cè)試卡、WCDMA手機(jī)測(cè)試、TD-SCDMA測(cè)試卡、CDMA2000測(cè)試卡、手機(jī)測(cè)試卡采用國(guó)際著名半導(dǎo)體廠(chǎng)商生產(chǎn)的專(zhuān)用芯片，3V/5V兼容5-6觸點(diǎn)兼容設(shè)計(jì)，適合一切手機(jī).、配以專(zhuān)用COS系統(tǒng)，全面遵從4G手機(jī)、3G對(duì)手機(jī)、2G手機(jī)等，我司的測(cè)試卡的各項(xiàng)規(guī)范特殊的半導(dǎo)體硅襯，保證卡片可以承受10牛頓／每平方米的壓力。（GSM標(biāo)準(zhǔn)為4牛頓／每平方米）適合工業(yè)化生產(chǎn)線(xiàn)使用，采用超長(zhǎng)壽命EEPROM，保證讀寫(xiě)次數(shù)在10萬(wàn)次以上。（3G標(biāo)準(zhǔn)只要求3萬(wàn)次，按一般生產(chǎn)線(xiàn)測(cè)量要求，每部手機(jī)的讀寫(xiě)次數(shù)為10次，可測(cè)一萬(wàn)部手機(jī)。），專(zhuān)利芯片保護(hù)層，保證卡片安全，防電子攻擊。耐壓6.5V以上特殊卡片涂層，抗靜電（ESD），防水（48小時(shí)浸泡試驗(yàn)）特殊卡體材料（ABS混合高溫PVC），耐高溫，45度可正常工作4小時(shí)以上。75度溫度沖擊試驗(yàn).

我公司產(chǎn)品經(jīng)國(guó)家集成電路卡注冊(cè)中心授權(quán)使用進(jìn)口三星、日立、飛利浦等若干芯片[授權(quán)范圍：S3C89K8(KS88C92008) S3xC9xx帶觸點(diǎn)IC卡芯片系列]。所有SIM智能卡的物理特性、耐化學(xué)性、觸點(diǎn)電特性均已通過(guò)國(guó)家電子計(jì)算機(jī)質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心及信息產(chǎn)業(yè)部IC卡質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心檢驗(yàn)合格，具有權(quán)威性的品質(zhì)保證。

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