GMR 磁頭的使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu), 這比以前的傳統(tǒng)磁頭和MR（Magneto Resisive）磁阻磁頭更為敏感, 相對的磁場變化能引起來大的電阻值變化, 從而實現(xiàn)更高的存儲密度.
某硬盤磁頭制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 應(yīng)用于硬盤磁頭鍍制GMR磁頭導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu).
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)
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Φ4 inch X 12片 |
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基片尺寸 |
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Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均勻性 |
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±5% |
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硅片刻蝕率 |
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20 nm/min |
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樣品臺 |
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直接冷卻,水冷 |
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離子源 |
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Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號 |
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RFICP 220 |
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Discharge |
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RFICP 射頻 |
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離子束流 |
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>800 mA |
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離子動能 |
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100-1200 V |
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柵極直徑 |
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20 cm Φ |
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離子束 |
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聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
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10-40 sccm |
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通氣 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
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< 0.5m Torr |
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長度 |
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30 cm |
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直徑 |
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41 cm |
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中和器 |
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LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的樣品臺可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實現(xiàn)晶圓反應(yīng)面均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實現(xiàn)提高晶圓的加工質(zhì)量.
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